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    05
    2022-11

    鉿的應(yīng)用領(lǐng)域

    發(fā)布時(shí)間 : 2022-11--05 點(diǎn)擊量 : 0
    由于鉿容易發(fā)射電子而很有用處(如用作白熾燈的燈絲)。用作X射線管的陰極,鉿和鎢或鉬的合金用作高壓放電管的電極。常用作X射線的陰極和鎢絲制造工業(yè)。純鉿具有可塑性、易加工、耐高溫抗腐蝕,是原子能工業(yè)重要材料。鉿的熱中子捕獲截面大,是較理想的中子吸收體,可作原子反應(yīng)堆的控制棒和保護(hù)裝置。鉿粉可作火箭的推進(jìn)器。在電器工業(yè)上可制造X射線管的陰極。鉿的合金可作火箭噴嘴和滑翔式重返大氣層的飛行器的前沿保護(hù)層,Hf-Ta合金可制造工具鋼及電阻材料。在耐熱合金中鉿用作添加元素,例如鎢、鉬、鉭的合金中有的添加鉿。HfC由于硬度和熔點(diǎn)高,可作硬質(zhì)合金添加劑。4TaCHfC的熔點(diǎn)約為4215℃,為已知的熔點(diǎn)較高的化合物。鉿可作為很多充氣系統(tǒng)的吸氣劑。鉿吸氣劑可除去系統(tǒng)中存在的氧、氮等不需要?dú)怏w。鉿常作為液壓油的一種添加劑,防止在高危作業(yè)時(shí)候液壓油的揮發(fā),具有很強(qiáng)的抗揮發(fā)性,這個(gè)特性的話,所以一般用于工業(yè)液壓油。醫(yī)學(xué)液壓油。 鉿元素也用于較新的intel45納米處理器。由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能,處理器廠商均采用二氧化硅做為制作柵極電介質(zhì)的材料。當(dāng)英特爾導(dǎo)入65納米制造工藝時(shí),雖已全力將二氧化硅柵極電介質(zhì)厚度降低至1.2納米,相當(dāng)于5層原子,但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時(shí),耗電和散熱難度亦會(huì)同時(shí)增加,產(chǎn)生電流浪費(fèi)和不必要的熱能,因此若繼續(xù)采用時(shí)下材料,進(jìn)一步減少厚度,柵極電介質(zhì)的漏電情況勢(shì)將會(huì)明顯攀升,令縮小晶體管技術(shù)遭遇極限。為解決此關(guān)鍵問題,英特爾正規(guī)劃改用較厚的高K材料(鉿元素為基礎(chǔ)的物質(zhì))作為柵極電介質(zhì),取代二氧化硅,此舉也成功使漏電量降低10倍以上。另與上一代65納米技術(shù)相較,英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍,得以增加處理器的晶體管總數(shù)或縮小處理器體積,此外,晶體管開關(guān)動(dòng)作所需電力更低,耗電量減少近30%,內(nèi)部連接線 (interconnects) 采用銅線搭配低k電介質(zhì),順利提升效能并降低耗電量,開關(guān)動(dòng)作速度約加快 20%。
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    13
    2022-04

    鉿的制備方法

    發(fā)布時(shí)間 : 2022-04--13 點(diǎn)擊量 : 0
    1、可由鎂還原四氯化鉿或熱分解四碘化鉿制取。也可以HfCl4和K2HfF6為原料。在NaCl-KCl-HfCl4或K2HfF6熔體中電解制取,其工藝過程與鋯的電解制取相近。 2、鉿多與鋯共存,沒有單獨(dú)存在的鉿原料。鉿的制造原料是在制造鋯的工藝流程中分離出來的粗氧化鉿。用離子交換樹脂的方法提取氧化鉿,隨后利用與鋯相同的方法從這種氧化鉿中制取金屬鉿。 3、可由四氯化鉿(HfCl4)與鈉共熱經(jīng)還原而制得。 4、較早分離鋯、鉿的方法是含氟絡(luò)鹽的分級(jí)結(jié)晶和磷酸鹽的分級(jí)沉淀。這些方法操作麻煩,限于實(shí)驗(yàn)室使用。陸續(xù)出現(xiàn)了分級(jí)蒸餾、溶劑萃取、離子交換和分級(jí)吸附等分離鋯、鉿的新技術(shù),其中以溶劑萃取法較有實(shí)用價(jià)值。常用的兩種分離體系是硫氰酸鹽-異己酮體系和磷酸三丁酯-硝酸體系。以上方法所得產(chǎn)品都是氫氧化鉿,通過煅燒可得純的氧化鉿。高純度的鉿可以用離子交換法取得。 工業(yè)上,金屬鉿的生產(chǎn)常常并用克羅爾法和德博爾-阿克爾法??肆_爾法是用金屬鎂還原四氯化鉿: 2Mg+HfCl4─→2MgCl2+Hf 德博爾-阿克爾法即碘化法,用此法提純海綿狀鉿,得到可延展的金屬鉿。
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